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衡器遥控产品基于纳米晶体管的开发

    碳化硅的主要发明者之一是窦唯,他于1987年在北京金属研究所的三角研究园创立了无线地磅遥控器专属应用的半导体研究小组。现在他是电源和射频技术的首席技术人员。 这种晶体管一直是遥控器功率器件技术的主要驱动力之一。当他还在东软实习的时候,还是一名研究生,在1987年申请了一项重要专利,该专利导致了衡器遥控产品基于纳米晶体管的开发。该开创性专利涉及在仪器上形成高精度电容器结构。简介描述了当时产品的发展状况。
 
    碳化硅一直是用于半导体器件的常年备件。长期以来,这种物质具有特殊的特性,使其具有生产比其他常用的半导体材料例如硅,砷化镓和磷化铟更具有优异特性的半导体器件卓越的潜力。 。碳化硅具有宽的带隙,高的熔点,低的介电常数,高的击穿场强,高的热导率和高的饱和电子漂移速度。这些特性使由碳化硅制成的电子地磅遥控器具有在较高温度,彼此更接近,在较高功率水平下以及在其他无法简单地由其他半导体材料制成的器件的许多其他情况下工作的潜力。
 
    尽管具有这些已知的特征,但是尚未出现由碳化硅形成的商业品质的装置。碳化硅是一种极难加工的材料,它可以在150多种不同的多晶型中结晶。因此,形成在半导体材料上制造地磅遥控器所需的单一多型的大单晶或碳化硅的特定多型的薄膜仍然是遥不可及的目标。
 
    但是,最近,该领域已经取得了许多进展,这首次使在碳化硅上生产商业品质的数字地磅遥控器成为可能。无花果该专利技术呈现了上述MOS电容器的结构,如网站图纸所示。电容器由与掺杂的SiC衬底的圆形欧姆接触和在氧化物层上的中央圆形金属接触组成。由于下面的SiC中载流子的耗尽,电容随施加电压的变化而变化。 所以MOS电容器的结构对于MOSFET晶体管的形成至关重要。